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SSDPEKNU512GZX1-02

Unidad de Disco Duro Sólido Intel 670p M.2 512 GB PCI Express 3.0 3D4 QLC NVMe

S/208

Intel Solid-State Drive 670p Series, SSD, Cifrado, 512 GB, Interno, M.2 2280, PCIe 3.0 x4 (NVMe), AES de 256 bits, Para Next Unit of Computing 12 (SSDPEKNU512GZX1)

 

Availability: Sin existencias SKU: DH512ITL07 Categorías: , Etiqueta:
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Descripción

Especificaciones

Características

Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES

Factor de forma de disco: SSD M.2

Disco de estado sólido, capacidad: 512 GB GB

Interfaz PCI Express: 3.0

Tipo de memoria: 3D4 QLC

NVMe: Si

Componente para: PC/ordenador portátil

Encriptación de hardware: Si

Protección de datos integral: Si

Tecnología mejorada de protección frente a pérdidas de datos por fallos eléctricos: No

Monitoreo de temperatura de SSD: No

Uncorrectable Bit Error Rate (UBER): < 1 per 10^15 bits read

Tiempo medio entre fallos: 1600000 h

Calificación: TBW 185

Condiciones de uso: PC/Client/Tablet

SSD ARK ID: 204107

Código de Sistema de Armomización (SA): 84717070

Número de clasificación de control de exportación (ECCN, Export Control Classification Number): 5A992CN3

Sistema de seguimiento automatizado de clasificación de mercancías (CCATS, Commodity Classification Automated Tracking System): G182471

Control de energía

Consumo de energía (espera): 0,025 W

Características especiales

Tecnología Intel® Rapid Start: Si

Tecnología de alta resistencia de Intel® (HET): No

Intel® Remote Secure Erase: No

Tecnología Intel® Smart Response: Si

Condiciones Ambientales

Intervalo de temperatura operativa: 0 – 70 °C

Máxima temperatura: 70 °C

Vibración operativa: 2,17 G G

Peso y dimensiones

Ancho: 80 mm

Altura 22 mm

Otras características
Tipo de memoria interna: PCIe 3.0 x4, NVMe

Consumo de energía (activo): 0,08 W

Familia de procesador: Intel SSD 6

Escritura secuencial: 1600 MB/s

Lectura secuencial: 3000 MB/s

Estado: Launched

Valoración de resistencia de disco: SSD 185

Fecha de lanzamiento: Q1’21

Golpes en SSD: Oper/ing;1000G,0.5ms–NonOper/ion;1500G,0.5ms

Lectura aleatoria (rango de 8GB): 110000 IOPS

Escritura aleatoria (rango de 8GB): 315000 IOPS