Descripción

Introducción

Las memorias ThinkSystem TruDDR5 y TruDDR4 ofrecen calidad, rendimiento y fiabilidad probados y de confianza en toda la gama ThinkSystem. Utilizamos los componentes de memoria estándar del sector de mayor calidad procedentes de proveedores de DRAM de primer nivel. Sólo las memorias que cumplen estos estrictos requisitos se seleccionan para los servidores Lenovo. A continuación, se somete a pruebas de compatibilidad y se ajusta en cada servidor ThinkSystem para maximizar la fiabilidad.

Además, los módulos DIMM de memoria de Lenovo para servidores llevan programada una firma exclusiva para que el sistema pueda verificar que la memoria TruDDR4 está instalada en el sistema. Dado que la memoria será autenticada, los objetivos de ampliación de memoria sólo se activan cuando se detectan módulos DIMM de memoria TruDDR4. Junto con un menor consumo de energía, estos nuevos módulos DIMM pueden proporcionar el menor coste total de propiedad para los centros de datos.

Memoria de alto rendimiento

Lenovo ofrece opciones de memoria de alto rendimiento y alta capacidad en los servidores ThinkSystem.

Memoria persistente

Los servidores ThinkSystem de Lenovo configurados con Intel Optane Persistent Memory transforman la jerarquía de memoria/almacenamiento, lo que permite obtener información más rápida a partir de los datos. Esta innovadora tecnología ofrece memoria de gran capacidad, alta velocidad y asequible con persistencia de datos y funciones de cifrado avanzadas. Estos módulos aumentan significativamente la capacidad de memoria del sistema disponible, manteniendo más datos calientes cerca de la CPU y permitiendo una mayor eficiencia operativa al procesar conjuntos de datos más grandes con más instancias de usuario.

RDIMM 3DS

Para satisfacer la creciente demanda de módulos de memoria de servidor de mayor densidad, Lenovo ofrece módulos RDIMM DDR4 3DS (3 Dimensional Stacked) que aplican la tecnología TSV (Through Silicon Via) de nuestra asociación con un proveedor líder de DRAM de primer nivel. La nueva tecnología de pila TSV 3DS permite paquetes de pila DRAM de mayor densidad con mayor frecuencia operativa y menor consumo de energía. La configuración RDIMM junto con los paquetes DRAM TSV 3DS presenta ventajas de rendimiento y menor consumo de energía en comparación con las soluciones alternativas de alta densidad para ofrecer, en última instancia, el menor coste total de propiedad para los centros de datos.

Características

Marca: LENOVO
Ahorro de Co2: 13.64
Memoria interna: 16 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de reloj de la memoria: 3200 MHz
Disposición de la memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB
Tensión de la memoria: 1,2 V

Información adicional